企业简介
本公司主要经营孕妇装童装,孕妇装童装等。公司秉承"顾客上，锐意进取"的经营理念，坚持"客户"的原则为广大客户提供优质的服务。欢迎惠顾！
和舰科技(苏州)有限公司的商标信息
| 序号 | 注册号 | 商标 | 商标名 | 申请时间 | 商品服务列表 | 内容 |
| 1 | 6553292 |  |
HEFA | 2008-02-13 | 技术研究；技术项目研究；研究与开发(替他人)；质量检测；材料测试；包装设计；计算机编程；计算机软件设计；计算机硬件咨询；计算机系统设计；工程 | 查看详情 |
| 2 | 4386188 |  |
HJTC | 2004-11-29 | 计算机程序(可下载软件)；微处理机；信息处理机(中央处理装置)；集成电路卡；半导体；晶片(锗片)；集成电路；集成电路块；半导体器件；传感器 | 查看详情 |
| 3 | 4386180 |  |
CHIPSHUTTLE | 2004-11-29 | 晶片(锗片)；集成电路；集成电路块；半导体器件；传感器 | 查看详情 |
| 4 | 4386176 |  |
和舰 | 2004-11-29 | 技术研究；技术项目研究；研究与开发(替他人)；质量检测；材料测试；包装设计；计算机编程；计算机软件设计；计算机硬件咨询；计算机系统设计 | 查看详情 |
| 5 | 4386177 |  |
HEJIAN | 2004-11-29 | 计算机程序(可下载软件)；微处理机；信息处理机(中央处理装置)；集成电路卡；半导体；晶片(锗片)；集成电路；集成电路块；半导体器件；传感器 | 查看详情 |
| 6 | 4386187 |  |
CHIP SHUTTLE | 2004-11-29 | 技术研究；技术项目研究；研究与开发(替他人)；质量检测；材料测试；包装设计；计算机编程；计算机软件设计；计算机硬件咨询；计算机系统设计 | 查看详情 |
| 7 | 6553296 |  |
禾发 | 2008-02-13 | 打磨；定做材料装配(替他人)；焊接；研磨加工；金属处理；激光划线；激光切割；磁化；金属电镀 | 查看详情 |
| 8 | 6553295 |  |
禾发 | 2008-02-13 | 技术研究；技术项目研究；研究与开发(替他人)；质量检测；材料测试；包装设计；计算机编程；计算机软件设计；计算机硬件咨询；计算机系统设计；工程 | 查看详情 |
| 9 | 5932540 |  |
HEJIAN YOUR FOUNDRY SOLUTION | 2007-03-07 | 计算机程序(可下载软件)；微处理机；信息处理机(中央处理装置)；集成电路卡；半导体；晶片(锗片)；集成电路；集成电路块；半导体器件；传感器 | 查看详情 |
| 10 | 5932541 |  |
和舰集成电路领航者 | 2007-03-07 | 计算机程序(可下载软件)；微处理机；信息处理机(中央处理装置)；集成电路卡；半导体；晶片(锗片)；集成电路；集成电路块；半导体器件；传感器 | 查看详情 |
| 11 | 6553294 |  |
HEFA | 2008-02-13 | 计算机程序(可下载软件)；微处理机；信息处理机(中央处理装置)；集成电路卡；半导体；晶片(锗片)；集成电路；集成电路块；半导体器件；传感器 | 查看详情 |
| 12 | 4386175 |  |
和舰 | 2004-11-29 | 磨光；定做材料装配(替他人)；焊接；研磨加工；金属处理；激光划线；激光切割；磁化；金属电镀；掏楔形槽 | 查看详情 |
| 13 | 6553293 |  |
HEFA | 2008-02-13 | 打磨；定做材料装配(替他人)；焊接；研磨加工；金属处理；激光划线；激光切割；磁化；金属电镀 | 查看详情 |
| 14 | 4386181 |  |
CHIP SHUTTLE | 2004-11-29 | 磨光；定做材料装配(替他人)；焊接；研磨加工；金属处理；激光划线；激光切割；磁化；金属电镀；掏楔形槽 | 查看详情 |
| 15 | 4386179 |  |
HEJIAN | 2004-11-29 | 技术研究；技术项目研究；研究与开发(替他人)；质量检测；材料测试；包装设计；计算机编程；计算机软件设计；计算机硬件咨询；计算机系统设计 | 查看详情 |
| 16 | 5932538 |  |
HEJIAN YOUR FOUNDRY SOLUTION | 2007-03-07 | 磨光；定做材料装配(替他人)；焊接；研磨加工；金属处理；激光划线；激光切割；磁化；金属电镀；掏楔形槽 | 查看详情 |
| 17 | 5932536 |  |
HEJIAN YOUR FOUNDRY SOLUTION | 2007-03-07 | 技术研究；技术项目研究；研究与开发(替他人)；质量检测；材料测试；包装设计；计算机编程；计算机软件设计；计算机硬件咨询；计算机系统设计 | 查看详情 |
| 18 | 4386174 |  |
和舰 | 2004-11-29 | 计算机程序(可下载软件)；微处理机；信息处理机(中央处理装置)；集成电路卡；半导体；晶片(锗片)；集成电路；集成电路块；半导体器件；传感器 | 查看详情 |
| 19 | 4386178 |  |
HEJIAN | 2004-11-29 | 磨光；定做材料装配(替他人)；焊接；研磨加工；金属处理；激光划线；激光切割；磁化；金属电镀；掏楔形槽 | 查看详情 |
| 20 | 5932539 |  |
和舰集成电路领航者 | 2007-03-07 | 磨光；定做材料装配(替他人)；焊接；研磨加工；金属处理；激光划线；激光切割；磁化；金属电镀；掏楔形槽 | 查看详情 |
和舰科技(苏州)有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN201017174Y | 一种光刻机的晶舟锁紧装置 | 2008.02.06 | 本实用新型提出了一种光刻机的晶舟锁紧装置，针对现有技术中存在的晶舟可以在工作时任意移动有可能造成传动 |
| 2 | CN200950440Y | 深亚微米级堆叠并联金属/绝缘体/金属结构电容器 | 2007.09.19 | 一种深亚微米级堆叠并联MiM结构电容器，其具有多层堆叠的MiM结构，有多个金属或多晶硅层作为布线层， |
| 3 | CN201360380Y | 移动式静电消除器 | 2009.12.09 | 本实用新型公开了一种移动式静电消除器，涉及手推车、静电消除器以及不间断电源，其特征在于：所述静电消除 |
| 4 | CN200989839Y | 反应室压力检测装置 | 2007.12.12 | 本实用新型提供一种反应室压力检测装置，包括弯管、压力计、接头、连接管，连接管、接头、弯管、压力计以串 |
| 5 | CN100589240C | 一次可编程存储器的结构及其制造方法 | 2010.02.10 | 本发明提出了一种一次可编程存储器及其制造方法，上述制造方法至少包括以下步骤：步骤1，提供衬底，在上述 |
| 6 | CN201017172Y | 一种光阻供应管路装置 | 2008.02.06 | 本实用新型提供了一种光阻供应管路装置，包括依次顺序连接的光阻瓶，过滤器和喷嘴，其中，在过滤器与喷嘴之 |
| 7 | CN201358011Y | 防倾倒外泄的液体容器 | 2009.12.09 | 本实用新型公开了一种防倾倒外泄的液体容器，具有瓶体、盖体和把手，其特征在于：所述液体容器具有包括防倾 |
| 8 | CN100543998C | 一种嵌壁式浅槽隔离结构及其形成方法 | 2009.09.23 | 本发明提供了一种嵌壁式浅槽隔离结构，该结构包括基底，基底内带有槽，槽中由线性氧化层和浅槽隔离氧化物依 |
| 9 | CN201315315Y | 抽气装置 | 2009.09.23 | 本实用新型公开了一种抽气装置，包括第一壳体、管道及抽气机。第一壳体配置于传送接口的侧面及底面周围。第 |
| 10 | CN200983104Y | 一种检测传送机异常运行的装置 | 2007.11.28 | 一种检测传送机异常运行的装置，包括程序逻辑控制器，互锁装置，跳闸开关CB10，继电器CR9，继电器C |
| 11 | CN201278347Y | 一种介电质层结构 | 2009.07.22 | 本实用新型涉及一种介电质层结构，其特征在于，包括：衬底；位于衬底之上的金属线；位于该衬底及该金属线之 |
| 12 | CN101320689B | 一种沟槽型功率晶体管的沟槽结构的形成方法 | 2010.11.10 | 本发明提供一种沟槽型功率晶体管的沟槽结构的形成方法，针对现有的沟槽难以形成较圆滑的拐角的问题而发明。 |
| 13 | CN101882140A | 一种为Lotus数据库备份数据的方法 | 2010.11.10 | 本发明涉及一种为Lotus数据库备份数据的方法，首先在需要做备份的数据库中建立设定档，设定相关路径； |
| 14 | CN101552224B | 一种微通孔钨损失的解决方法 | 2010.11.10 | 本发明提出了一种微通孔钨损失的解决方法。现有技术中由于在金属蚀刻时活动区偏移会造成后续的蚀刻或清洗时 |
| 15 | CN102412135B | 一种化学机械抛光自动化试生产方法和装置 | 2013.07.31 | 本发明涉及一种化学机械抛光自动化试生产方法和装置，方法包括：步骤1：从整批晶片中分出一个晶片，整批晶 |
| 16 | CN101459144B | 一种从堆叠式栅极闪存中去除介质残余的方法 | 2013.07.17 | 本发明提供了一种从堆叠式栅极闪存中去除介质残余的方法，包括：第一步，提供一衬底，该衬底上有沟槽；第二 |
| 17 | CN102104040B | 具有浅槽隔离结构的半导体器件及其制造方法 | 2013.01.16 | 本发明提出了一种具有浅槽隔离结构(STI)的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括在硅基片上沉积的 |
| 18 | CN102127744B | 具有预警功能的离子植入机驱动机构及其预警方法 | 2012.12.19 | 本发明提供了一种具有预警功能的离子植入机驱动机构及其预警方法，该驱动机构包括惰性轴承、惰性轴承轴、左 |
| 19 | CN101794729B | 一种通过蚀刻形成半导体结构中的通孔的方法 | 2012.12.12 | 本发明涉及一种金属和氧化物蚀刻方法，该方法包含如下步骤：提供一个基板，并在该基板上沉积一层金属层，再 |
| 20 | CN102129954B | 一种用于降低曝光时离焦几率的晶背清洁装置 | 2012.12.12 | 本发明涉及一种用于降低曝光时离焦几率的晶背清洁装置，包括：安装在传送交换单元的传感器，所述传送交换单 |
| 21 | CN102101237B | 一种管路拆卸夹具 | 2012.11.14 | 本发明涉及一种管路拆卸夹具，包括：底座；夹爪，分别位于所述底座的左右两侧，用于夹紧所述管路接口处两端 |
| 22 | CN101862736B | 一种降低接触孔蚀刻后簇状缺陷的方法 | 2012.11.14 | 本发明提出了一种降低接触孔蚀刻后簇状缺陷的方法，包括：在接触孔蚀刻后，使用氢氧化铵NH4OH与过氧化 |
| 23 | CN102103335B | 一种检验晶片对准的方法 | 2012.10.10 | 本发明提出了一种检验晶片对准的方法，以对准正常的晶片为标准，在机台中存储该晶片的图形信息，在该晶片上 |
| 24 | CN101620996B | 一种栅氧化层的制造方法 | 2012.10.10 | 本发明提供了一种栅氧化层的制造方法，包括以下步骤：在基底表面的垫层氧化层上沉积第一氮化物层；以该第一 |
| 25 | CN101859725B | 一种通过改善浅沟槽绝缘结构的边缘形成晶片的方法 | 2012.09.19 | 本发明涉及一种通过改善浅沟槽绝缘结构的边缘形成晶片的方法，包括以下步骤：步骤1，提供一具有半导体衬底 |
| 26 | CN101635257B | 一种去除磷掺杂多晶硅表面氧化物的方法 | 2012.09.19 | 本发明涉及一种去除磷掺杂多晶硅表面氧化物的方法，其特征在于，包括先将该多晶硅放入SC1槽进行清洗，而 |
| 27 | CN101837225B | 一种防止异丙醇洗涤器堵塞的系统 | 2012.09.05 | 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种防止异丙醇洗涤器(IPAscrubber)堵塞的系统。该系统包 |
| 28 | CN102011099B | 一种沉积掺杂多晶硅机台 | 2012.07.25 | 本发明公开了一种沉积掺杂多晶硅(DPOLY)机台，涉及多晶硅制造技术，为解决现有技术DPOLY机台中 |
| 29 | CN101900954B | 一种监测显影机台曝光后烘烤热板斜率的方法 | 2012.07.25 | 本发明提出一种监测显影机台曝光后烘烤热板斜率的方法，包括以下步骤：首先，在晶片上涂覆高活化能光刻胶后 |
| 30 | CN101650375B | 一种用于窄测试键的垂直探针卡 | 2012.07.25 | 本发明提供了一种用于窄测试键的垂直探针卡，包括电路板和探针组，该探针组设置在电路板的一侧，且电连接于 |
| 31 | CN101794086B | 一种分离显影液废液与DI水的分离装置及分离方法 | 2012.07.25 | 本发明涉及一种分离显影液废液与DI水的分离装置及分离方法，该装置包含一个自动阻尼器、一个液体隔离装置 |
| 32 | CN101824647B | 一种PECVD薄膜沉积的自动化制程控制方法 | 2012.07.25 | 本发明提出一种PECVD薄膜沉积的自动化制程控制方法，其特征在于，包括：测机流程，生产流程；上述测机 |
| 33 | CN101813714B | 探针装置 | 2012.07.18 | 本发明公开了一种探针装置，包括针头组件，其中针头组件包括多探针、与多探针电连接的第一电路板，以及通过 |
| 34 | CN101859726B | 一种改善MOSFET STI差排的方法 | 2012.07.18 | 本发明涉及一种改善MOSFET STI差排的方法，提供一具有浅沟槽绝缘结构的基底，该基底上表面涂覆有 |
| 35 | CN101882140B | 一种为Lotus数据库备份数据的方法 | 2012.07.18 | 本发明涉及一种为Lotus数据库备份数据的方法，首先在需要做备份的数据库中建立设定档，设定相关路径； |
| 36 | CN101661229B | 一种喷头定位装置及定位方法 | 2012.06.27 | 本发明提出了一种喷头定位装置及定位方法，该喷头定位装置为多面体，该多面体具有置于待清洗的晶片上的第一 |
| 37 | CN101609258B | 光刻机曝光强度与均匀度的管理方法 | 2012.06.27 | 本发明公开了一种光刻机曝光强度与均匀度的管理方法，基于EXCELVBA开发数据录入界面，通过编写应用 |
| 38 | CN101667540B | 半导体制程 | 2012.06.27 | 本发明揭示一种半导体制程。首先，提供一基底，基底上已形成一堆叠结构及位于堆叠结构上的罩幕层。然后，形 |
| 39 | CN101562145B | 晶圆级电迁移性能测试的改善方法 | 2012.05.30 | 本发明公开了一种晶圆级电迁移性能测试的改善方法，以解决原先因机台测试程式不合理而造成的设备硬件损伤及 |
| 40 | CN101751013B | 一种半导体制造生产的辅助分配系统及辅助分配方法 | 2012.05.23 | 本发明提出了一种辅助分配系统和辅助分配方法，辅助分配系统包括以下部分：存储模块，用以存储用于产品生产 |
| 41 | CN101562131B | 栅极结构的制造方法 | 2012.04.18 | 本发明揭示一种栅极结构的制造方法。首先，提供一衬底，衬底上已形成栅极介电层，且栅极介电层上形成有至少 |
| 42 | CN101562151B | 具有金属硅化物的半导体结构及形成金属硅化物的方法 | 2012.04.18 | 本发明提出一种形成金属硅化物的方法。首先，提供一基底，此基底具有第一区域与第二区域，其中第一区域的基 |
| 43 | CN102412135A | 一种化学机械抛光自动化试生产方法和装置 | 2012.04.11 | 本发明涉及一种化学机械抛光自动化试生产方法和装置，方法包括：步骤1：从整批晶片中分出一个晶片，整批晶 |
| 44 | CN101901851B | 一种选择式射极太阳能电池的制造方法 | 2012.03.28 | 本发明提出一种选择式射极太阳能电池的制造方法，包括以下步骤：步骤1：在P型导电基板上通过涂布含有N形 |
| 45 | CN101464474B | 一种可旋转探针卡的半导体测量探针台 | 2012.03.21 | 本发明提出了一种可旋转探针卡的半导体测量探针台，至少包括：探针台主体，位于探针台主体下方的轨道，用于 |
| 46 | CN101554624B | 一种喷嘴的清洁方法 | 2012.03.07 | 本发明提出了一种喷嘴的清洁方法，针对现有E2/E3喷嘴都是通过人工清洁从而导致极易对喷头造成损伤，或 |
| 47 | CN101670345B | 反应室的清洁方法 | 2012.03.07 | 一种反应室的清洁方法，首先，进行第一清洁步骤，包括将含氟气体及含氧气体通入反应室，其中含氟气体不包括 |
| 48 | CN101639633B | 一种显影液供给管路 | 2012.02.29 | 本发明涉及一种显影液供给管路，包括显影液管路、位于显影液管路前端的显影液喷嘴，以及与显影液管路相并联 |
| 49 | CN101442501B | 一种电子邮件通路的监测方法 | 2012.02.22 | 本发明提出了一种电子邮件通路的监测方法，通过监测外网定时向内网发送的邮件，可以测试出在整个邮件通路中 |
| 50 | CN101928927B | 一种离子注入装置和方法 | 2012.01.25 | 本发明提出一种离子注入装置和方法，装置包括：离子源；极板，设置于上述离子束的传播通道两侧；LENS磁 |
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